Invention Grant
- Patent Title: 四棱锥构型Cf/SiC-ZrC仿生梯度点阵复合材料平板的制备方法
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Application No.: CN201410116384.3Application Date: 2014-03-26
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Publication No.: CN103862731BPublication Date: 2015-09-16
- Inventor: 曾涛 , 成夙 , 杨帆 , 方岱宁
- Applicant: 哈尔滨理工大学
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- Assignee: 哈尔滨理工大学
- Current Assignee: 哈尔滨理工大学
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
- Agency: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- Agent 侯静
- Main IPC: B32B3/26
- IPC: B32B3/26 ; B32B5/08 ; B32B18/00 ; C04B35/80 ; C04B35/56 ; C04B35/622
Abstract:
四棱锥构型Cf/SiC-ZrC仿生梯度点阵复合材料平板的制备方法,涉及点阵梯度复合材料及其制备方法。本发明要解决现有C/SiC点阵结构复合材料在长时间极端环境下的抗氧化烧蚀性能差,高温环境下化学稳定性差的技术问题。四棱锥构型Cf/SiC-ZrC仿生梯度点阵复合材料平板,由上面板、下面板以及在上下面板之间以点阵芯子进行梯度排列的四棱锥胞元构成。制备方法:采用经聚碳硅烷等混合得到浸渍液的碳纤维穿插经该浸渍液的碳纤维布工艺制备出四棱锥构型的骨架,然后对骨架用同样的浸渍液浸渍后,固化,裂解处理即可得到。本发明应用于降低噪音、屏蔽电磁辐射、抗冲击、隔热、降低热传导、抗氧化烧蚀的领域。
Public/Granted literature
- CN103862731A 四棱锥构型Cf/SiC-ZrC仿生梯度点阵复合材料平板及其制备方法 Public/Granted day:2014-06-18
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