发明授权
CN103884755B 一种TiO2纳米花薄膜电极材料的制备方法及其应用
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种TiO2纳米花薄膜电极材料的制备方法及其应用
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申请号: CN201410050661.5申请日: 2014-02-13
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公开(公告)号: CN103884755B公开(公告)日: 2016-08-17
- 发明人: 崔静洁 , 刘宏 , 黄震 , 厉力华 , 高力 , 何青芳
- 申请人: 杭州电子科技大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
- 专利权人: 杭州电子科技大学
- 当前专利权人: 杭州电子科技大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
- 代理机构: 杭州君度专利代理事务所
- 代理商 杜军
- 主分类号: G01N27/327
- IPC分类号: G01N27/327 ; B82Y15/00 ; B82Y30/00 ; C23C22/54
摘要:
本发明公开一种TiO2纳米花薄膜电极材料的制备方法及其应用。该方法是将纯钛片浸泡在浓度为4~8mmol/L的钛酸异丁酯醇溶液中,置于内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜内,封闭,拧紧反应釜,置于120~180℃的烘箱中,恒温反应18~24h,反应完毕后,用超纯水彻底清洗,洗至PH值约为7,70~110℃干燥,400~600℃煅烧1~2h,得到TiO2纳米花薄膜电极材料。该TiO2纳米花薄膜电极材料在疾病特征miRNA相关电化学生物传感检测或生物传感器件的应用。该TiO2纳米花薄膜薄厚均匀,形貌可控,结构牢固,电极制备工艺简单,无需粘结剂粘结,容易实现标准化和批量化生产。
公开/授权文献
- CN103884755A 一种TiO2纳米花薄膜电极材料的制备方法及其应用 公开/授权日:2014-06-25