本发明提供一种太赫兹量子阱光电探测器的设计方法，包括：1）根据太赫兹量子阱光电探测器的峰值响应频率在器件材料中的波长λp，设计刻蚀光栅的周期P，使P＝λp；2）计算在入射光照射下太赫兹量子阱光电探测器内部的电磁场分布；3）提取电磁场分布中对子带间跃迁有贡献的分量，并在有源区内对该分量的能量进行积分，得到有源区中对子带间跃迁有贡献的总能量It；4）设置不同的光栅高度h，计算在不同光栅高度h下的总能量It，选取总能量It最大时的光栅高度h作为刻蚀光栅的高度。本发明可有效提升太赫兹量子阱光电探测器在峰值响应频率点的性能，对高性能太赫兹量子阱光电探测器的实现及其成像应用具有重要的意义。