发明公开
CN103889915A 产生低发射率层系统的方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 产生低发射率层系统的方法
- 专利标题(英): Method for producing a low-emissivity layer system
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申请号: CN201280040483.7申请日: 2012-08-20
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公开(公告)号: CN103889915A公开(公告)日: 2014-06-25
- 发明人: 约尔格·奈德哈特 , 克里斯多佛·科克尔特
- 申请人: 冯·阿德纳有限公司
- 申请人地址: 德国德累斯顿
- 专利权人: 冯·阿德纳有限公司
- 当前专利权人: 冯·阿德纳有限公司
- 当前专利权人地址: 德国德累斯顿
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 梁晓广; 关兆辉
- 优先权: 102011081281.4 2011.08.19 DE; 102011089884.0 2011.12.23 DE
- 国际申请: PCT/EP2012/066174 2012.08.20
- 国际公布: WO2013/026819 DE 2013.02.28
- 进入国家日期: 2014-02-19
- 主分类号: C03C23/00
- IPC分类号: C03C23/00 ; C03C17/36
摘要:
本发明涉及一种用于在基板的至少一侧上产生低发射率层系统的方法,该方法包括以下步骤:提供基板;通过沉积过程,在基板的至少一侧上形成至少一个低发射率层;以及对至少一个沉积层进行短暂回火,解决了如下问题:减小低发射率涂层的薄层电阻并由此减小发射率,以及减小昂贵的IR反射性涂覆材料的使用。根据本发明,通过调节用于对低发射率层进行短暂回火的电磁辐射,使得已回火层具有与安全玻璃的常规热处理的低发射率层相当的层特性,来解决所述问题。