• 专利标题: 一种基于离散晶体的高能光子反应深度的定位方法
  • 专利标题(英): High-energy photon reaction depth positioning method based on disperse crystal
  • 申请号: CN201410147982.7
    申请日: 2014-04-14
  • 公开(公告)号: CN103901463A
    公开(公告)日: 2014-07-02
  • 发明人: 都东石涵彭旗宇许剑锋
  • 申请人: 清华大学
  • 申请人地址: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
  • 专利权人: 清华大学
  • 当前专利权人: 清华大学
  • 当前专利权人地址: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
  • 代理机构: 北京鸿元知识产权代理有限公司
  • 代理商 邸更岩
  • 主分类号: G01T1/202
  • IPC分类号: G01T1/202 G06F19/00
一种基于离散晶体的高能光子反应深度的定位方法
摘要:
一种基于离散晶体的高能光子反应深度的定位方法,该方法利用离散晶体映射解码图中的反应深度信息,直接确定高能光子的反应深度,其包括如下步骤:a)标定高能光子反应深度与解码位置的对应关系;b)根据反应深度定位要求设定反应深度定位级别;c)根据反应深度级别确定反应深度分割边界;d)基于反应深度分割边界,由高能光子解码位置定位高能光子的反应深度。根据本发明的上述方法,通过建立反应深度与解码位置的对应关系和反应深度分割边界,不仅能有效解出高能光子反应深度信息,而且不需要传统方法中针对深度定位附加设计的复杂结构,节约成本,简单有效。
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