本发明公开了一种用于制备薄膜晶体管TFT沟道的蚀刻剂组合物和使用所述蚀刻剂组合物制造TFT沟道的方法。所述用于制备TFT沟道的蚀刻剂组合物包括15重量%至25重量%的过氧化氢、0.01重量%至5重量%的含氟化合物、0.1重量%至5重量%的唑化合物、0.5重量%至5重量%的在分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物、0.1重量%至5重量%的磷酸盐化合物、0.1重量%至5重量%的有机酸、0.001重量%至5重量%的多元醇型表面活性剂、以及余量的水，以便通过仅一次的蚀刻过程，蚀刻源极/漏极层和n+掺杂层。