发明授权
- 专利标题: 射频层叠封装电路
-
申请号: CN201280056157.5申请日: 2012-11-15
-
公开(公告)号: CN103930989B公开(公告)日: 2017-07-21
- 发明人: A·哈德吉克里斯托斯 , G·S·萨霍塔 , S·C·西卡雷利 , D·J·维尔丁 , R·D·莱恩 , C·赫伦斯坦恩 , M·P·沙哈
- 申请人: 高通股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 周敏
- 优先权: 61/560,157 20111115 US 13/677,054 20121114 US
- 国际申请: PCT/US2012/065363 2012.11.15
- 国际公布: WO2013/074846 EN 2013.05.23
- 进入国家日期: 2014-05-15
- 主分类号: H01L23/66
- IPC分类号: H01L23/66 ; H01L25/16
摘要:
描述了一种射频层叠封装(PoP)电路。该射频层叠封装(PoP)电路包括第一射频封装(306)。第一射频封装包括射频组件(310,312,314,316)。该射频层叠封装(PoP)电路还包括第二射频封装(308)。第二射频封装包括射频组件(322,324)。第一射频封装和第二射频封装为垂直配置。第一射频封装上的射频组件被设计成减小接地电感效应。
公开/授权文献
- CN103930989A 射频层叠封装电路 公开/授权日:2014-07-16
IPC分类: