发明公开
- 专利标题: 带隙基准电路
- 专利标题(英): Band gap reference circuit
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申请号: CN201410145614.9申请日: 2014-04-11
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公开(公告)号: CN103941796A公开(公告)日: 2014-07-23
- 发明人: 谭飞鸿
- 申请人: 广州思信电子科技有限公司 , 谭飞鸿
- 申请人地址: 广东省广州市荔湾区桥中中路219-221号(自编丁4)2楼自编6号
- 专利权人: 广州思信电子科技有限公司,谭飞鸿
- 当前专利权人: 广州思信电子科技有限公司,谭飞鸿
- 当前专利权人地址: 广东省广州市荔湾区桥中中路219-221号(自编丁4)2楼自编6号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 骆苏华
- 主分类号: G05F1/56
- IPC分类号: G05F1/56
摘要:
一种带隙基准电路,包括带隙核心单元和输出单元。所述带隙核心单元包括第一PNP三极管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第一PMOS管、第二PMOS管、运算放大器以及偏置电阻;所述输出单元包括第五PNP三极管和第三PMOS管,所述第三PNP三极管、第四PNP三极管以及第五PNP三极管的电流增益相等。本发明技术方案提供的带隙基准电路消除了三极管的电流增益对其输出的基准电压的影响,提高了所述基准电压的稳定性。
公开/授权文献
- CN103941796B 带隙基准电路 公开/授权日:2015-10-21
IPC分类: