TO壳体及其制造方法

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专利标题： TO壳体及其制造方法
专利标题（英）： Transistor outline housing and method for producing same
申请号： CN201410022616.9

申请日： 2014-01-17
公开(公告)号： CN103943574A

公开(公告)日： 2014-07-23
发明人: 罗伯特·黑特勒 , 肯尼斯·谭 , 格奥尔格·米特迈尔 , 卡斯滕·德勒格米勒
申请人： 肖特公开股份有限公司
申请人地址： 德国美因兹
专利权人： 肖特公开股份有限公司
当前专利权人： 肖特公开股份有限公司
当前专利权人地址： 德国美因兹
代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
代理商 杨靖; 车文
优先权： 102013100510.1 2013.01.18 DE
主分类号： H01L23/045
IPC分类号： H01L23/045 ; H01L23/66 ; H01L23/495

摘要：

本发明涉及一种TO壳体及其制造方法，在该壳体中，在上侧，焊线的长度缩短并且联接线路在与联接接头对置的一侧上具有凸出部。

摘要（英）：

A transistor outline housing is provided that has bonding wires on an upper surface. The bonding wires are reduced in length and have connection leads with an excess length at an end opposite the bonding end.

公开/授权文献

CN103943574B TO壳体及其制造方法公开/授权日：2017-11-17

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/02	.容器；封接（H01L23/12，H01L23/34，H01L23/48，H01L23/552优先）
H01L23/04	..按外形区分的
H01L23/043	...中空容器，并有用于半导体本体的引线以及作为安装架的导电基座
H01L23/045	....其他引线具有穿过基座的绝缘通道