- 专利标题: 一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法
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申请号: CN201410215742.6申请日: 2014-05-21
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公开(公告)号: CN103956974B公开(公告)日: 2015-12-09
- 发明人: 肖娅 , 陈红 , 高传楼 , 彭义富
- 申请人: 常州天合光能有限公司
- 申请人地址: 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
- 专利权人: 常州天合光能有限公司
- 当前专利权人: 天合光能股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号
- 代理机构: 常州市科谊专利代理事务所
- 代理商 孙彬
- 主分类号: H02S50/10
- IPC分类号: H02S50/10
摘要:
本发明公开了一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法,该方法的步骤如下:a)取抗PID半成品电池片;b)将去离子水滴在抗PID半成品电池片的表面上;c)将经过步骤b)处理的抗PID半成品电池片倾斜成与水平面有一定角度的倾斜状;d)通过去离子水滴在抗PID半成品电池片上的形态判定该抗PID半成品电池片的抗PID性能是否合格:当去离子水滴在抗PID半成品电池片上不具有扩散趋势,则该抗PID半成品电池片的抗PID性能不合格;当去离子水滴在抗PID半成品电池片上有扩散趋势并且能够沿着倾斜方向顺势流下,则该抗PID半成品电池片的抗PID性能合格。本发明能够缩短判定电池片是否具有基本的抗PID能力的时间。
公开/授权文献
- CN103956974A 一种确认半成品电池片抗PID性能的测试方法 公开/授权日:2014-07-30