发明授权
CN103975456B 包含纳米结构的发光装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 包含纳米结构的发光装置
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申请号： CN201280055344.1申请日： 2012-11-09
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公开(公告)号： CN103975456B公开(公告)日： 2016-10-19
- 发明人: 赖倩茜 , 郑世俊 , 大卫·T·西斯克 , 望月周
- 申请人： 日东电工株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 日东电工株式会社
- 当前专利权人： 日东电工株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- 代理商 肖善强
- 优先权： 61/558,217 2011.11.10 US; 61/696,084 2012.08.31 US; 13/672,394 2012.11.08 US
- 国际申请： PCT/IB2012/002703 2012.11.09
- 国际公布： WO2013/068842 EN 2013.05.16
- 进入国家日期： 2014-05-09
- 主分类号： H01L51/52
- IPC分类号： H01L51/52
摘要：
本发明涉及发光装置。所述发光装置包含：布置于阳极(2)和阴极(4)之间的发光层(20)；包含第一电荷传输材料并且布置于发光层和阳极之间的第一电荷传输层(8)；布置于第一电荷传输层和发光层之间、或者与第一电荷传输层和发光层接触的纳米结构材料(6)。
公开/授权文献
- CN103975456A 包含纳米结构的发光装置 公开/授权日：2014-08-06
IPC分类:
