- 专利标题: 一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及其制备方法
- 专利标题(英): Aluminum/iron-doped amorphous carbon film/aluminum nano-thin-film memory resistor storage device and manufacturing method thereof
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申请号: CN201410230353.0申请日: 2014-05-28
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公开(公告)号: CN103985816A公开(公告)日: 2014-08-13
- 发明人: 翟章印 , 姜昱丞 , 付浩
- 申请人: 淮阴师范学院
- 申请人地址: 江苏省淮安市淮阴区长江西路111号
- 专利权人: 淮阴师范学院
- 当前专利权人: 淮阴师范学院
- 当前专利权人地址: 江苏省淮安市淮阴区长江西路111号
- 代理机构: 淮安市科文知识产权事务所
- 代理商 陈静巧
- 主分类号: H01L45/00
- IPC分类号: H01L45/00
摘要:
本发明公开了一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及制备方法。该方法以石英玻璃基片作为衬底,采用脉冲激光沉积法制备铁掺杂的非晶碳膜,再采用真空热蒸发法在该碳膜上蒸镀两个铝层作为电极,并连接电压触发器,制备成本器件。本器件在室温下,存在高低两种电阻态,电阻开关现象极为明显,可通过简单的脉冲电压进行写入,通过检测电阻态实现读取。具有读写速度快、可重复性强,结构简单、稳定、耐振动,工艺简洁、环保无污染,原材料价格低廉,易回收重复利用等优越性。
公开/授权文献
- CN103985816B 一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器件及其制备方法 公开/授权日:2016-09-14