固体电子装置

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专利标题： 固体电子装置
申请号： CN201280058844.0

申请日： 2012-10-25
公开(公告)号： CN103999207B

公开(公告)日： 2017-07-28
发明人: 下田达也 , 德光永辅 , 尾上允敏 , 宫迫毅明
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请人地址： 日本埼玉县川口市
专利权人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
当前专利权人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
当前专利权人地址： 日本埼玉县川口市
代理机构： 北京北翔知识产权代理有限公司
代理商 杨勇; 钟守期
优先权： 2011-245915 20111109 JP
国际申请： PCT/JP2012/077623 2012.10.25
国际公布： WO2013/069470 JA 2013.05.16
进入国家日期： 2014-05-29
主分类号： H01L21/822
IPC分类号： H01L21/822 ; H01L21/316 ; H01L27/04

摘要：

本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质)，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。

公开/授权文献

CN103999207A 固体电子装置公开/授权日：2014-08-20

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）