发明公开
- 专利标题: 制造陶瓷基质复合材料的方法和由此形成的陶瓷基质复合材料
- 专利标题(英): PROCESS OF PRODUCING CERAMIC MATRIX COMPOSITES AND CERAMIC MATRIX COMPOSITES FORMED THEREBY
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申请号: CN201280064845.6申请日: 2012-12-07
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公开(公告)号: CN104010992A公开(公告)日: 2014-08-27
- 发明人: G.H.科比 , J.D.斯泰贝尔 , N.D.戈斯
- 申请人: 通用电气公司
- 申请人地址: 美国纽约州
- 专利权人: 通用电气公司
- 当前专利权人: 通用电气公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 徐晶; 林森
- 优先权: 61/581,129 2011.12.29 US; 13/685,038 2012.11.26 US
- 国际申请: PCT/US2012/068329 2012.12.07
- 国际公布: WO2013/103469 EN 2013.07.11
- 进入国家日期: 2014-06-27
- 主分类号: C04B35/573
- IPC分类号: C04B35/573 ; B32B18/00 ; F02C7/00 ; C04B35/64 ; F01D25/00 ; C04B35/58 ; C04B35/591 ; C04B35/628 ; C04B35/80
摘要:
本发明涉及制造含硅CMC制品的方法。所述方法需要在碳化硅(SiC)纤维上沉积一个或多个涂层,牵拉所述涂布的SiC纤维穿过浆料以产生涂有浆料的纤维材料,且随后加工所述涂有浆料的SiC纤维材料以形成单向预浸渍带。将所述带堆叠且随后烧制以产生多孔预成型件。随后所述多孔预成型件通过浸渗其中的孔隙而进一步致密化,从而产生CMC制品。浸渗可通过一系列聚合物浸渗和热解(PIP)步骤、通过在用碳或一种或多种难熔金属填充在所述预成型件中的孔隙之后而熔体浸渗(MI)、通过化学气相浸渗(CVI)或通过这些浸渗技术的组合来实现。
IPC分类: