FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法

发明公开

CN104022032A FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法有权

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专利标题： FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法
专利标题（英）： Method for forming vertical bipolar transistor in FinFET manufacturing process
申请号： CN201410218419.4

申请日： 2014-05-22
公开(公告)号： CN104022032A

公开(公告)日： 2014-09-03
发明人: 梅绍宁 , 程卫华
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址： 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
当前专利权人： 武汉新芯集成电路股份有限公司
当前专利权人地址： 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构： 上海申新律师事务所
代理商 吴俊
主分类号： H01L21/331
IPC分类号： H01L21/331

摘要：

本发明公开了一种FinFET制程中形成垂直双极型构的方法，通过有选择的在不同区域掺杂的方法，利用已有的FinFET结构，形成垂直PNP双极型晶体管，从而增加了集成电路的功能。

摘要（英）：

The invention discloses a method for forming a vertical bipolar structure in the FinFET manufacturing process. By a method of selectively doping in different areas and by the utilization of an existed FinFET structure, a vertical PNP bipolar transistor is formed, thus increasing functions of an integrated circuit.

公开/授权文献

CN104022032B FinFET制程中形成垂直双极型晶体管的方法公开/授权日：2017-04-05

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328	....制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33	.....包括3个或更多电极的器件
H01L21/331	......晶体管