发明授权
- 专利标题: 磁传感器
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申请号: CN201280052861.3申请日: 2012-10-25
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公开(公告)号: CN104024877B公开(公告)日: 2016-02-03
- 发明人: 西田聪佑 , 高塚俊德
- 申请人: 旭化成微电子株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 旭化成微电子株式会社
- 当前专利权人: 旭化成微电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇
- 优先权: 2011-238701 2011.10.31 JP
- 国际申请: PCT/JP2012/006864 2012.10.25
- 国际公布: WO2013/065266 JA 2013.05.10
- 进入国家日期: 2014-04-25
- 主分类号: G01R33/07
- IPC分类号: G01R33/07 ; G01R15/20 ; H01L43/04 ; H01L43/06
摘要:
本发明的磁传感器具备检测磁力的霍尔传感器以及用于进行霍尔传感器的驱动和信号处理的IC,IC具有两层以上的多个金属布线层,霍尔传感器和IC通过引线布线电连接并且被封入到一个封装体内。用于将霍尔传感器的输出电压输入到IC所具备的信号处理部的金属布线具备立体交叉部,以抑制由于从外部施加的磁通密度的变化而在与霍尔传感器的输出端子和霍尔传感器的输出电极焊盘相连接的引线布线以及用于将霍尔传感器的输出电压输入到IC所具备的信号处理部的IC上的金属布线上产生的感应电动势。由此,抑制由磁通密度的急剧变化引起的感应电动势的影响,提供电流传感器所需的高速应答性。
公开/授权文献
- CN104024877A 磁传感器 公开/授权日:2014-09-03