发明公开
- 专利标题: 一种碳化硅陶瓷及其低温烧结方法
- 专利标题(英): Silicon carbide ceramic and low temperature sintering method thereof
-
申请号: CN201410175788.X申请日: 2014-04-28
-
公开(公告)号: CN104030687A公开(公告)日: 2014-09-10
- 发明人: 李友宝 , 励永平
- 申请人: 宁波东联密封件有限公司
- 申请人地址: 浙江省宁波市鄞州区姜山镇科技园区明曙路6号
- 专利权人: 宁波东联密封件有限公司
- 当前专利权人: 宁波东联密封件有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市鄞州区姜山镇科技园区明曙路6号
- 代理机构: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所
- 代理商 张向飞
- 主分类号: C04B35/565
- IPC分类号: C04B35/565 ; C04B35/65 ; C04B35/63
摘要:
本发明涉及一种碳化硅陶瓷及其低温烧结方法,该碳化硅陶瓷是由重量份数为75-85份的碳化硅和15-25份的烧结助剂经混合、球磨、干燥、干压成型和液相烧结而成,烧结助剂由14.5-23份的单质铝、0.2-1份的碳化硼和0.3-1份的碳组成。其低温烧结方法是先将碳化硅和烧结助剂放入球磨桶中,加入去离子水、聚乙烯醇水溶液、水溶性树脂进行球磨,然后烘干、筛选后加入钢模中压制成型,最后在温度为1800-1900℃下液相烧结得到最终产品碳化硅陶瓷。本发明在碳化硅中加入了由单质铝、碳化硼和碳合理配伍而成烧结助剂,降低了烧结温度,且能得到高致密化碳化硅陶瓷。
公开/授权文献
- CN104030687B 一种碳化硅陶瓷及其低温烧结方法 公开/授权日:2015-12-09
IPC分类: