发明公开
- 专利标题: 一种低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing porous silicon carbide ceramic through low temperature sintering
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申请号: CN201410299601.7申请日: 2014-06-27
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公开(公告)号: CN104030721A公开(公告)日: 2014-09-10
- 发明人: 徐慢 , 陈常连 , 曹宏 , 石和彬 , 沈凡 , 季家友 , 王树林 , 薛俊 , 王亮 , 赵静 , 祝云
- 申请人: 武汉工程大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号
- 专利权人: 武汉工程大学
- 当前专利权人: 湖北迪洁膜科技有限责任公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 崔友明
- 主分类号: C04B38/00
- IPC分类号: C04B38/00 ; C04B35/63 ; C04B35/565
摘要:
本发明涉及低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,包括以下步骤:1)将SiC粉末:SiC烧结助剂:无水乙醇:聚乙烯醇混合研磨,干燥,得到SiC多孔陶瓷烧制原料;2)采用挤出成型机制成多通道管状试件,再放入200℃马弗炉中预烧2h,随炉冷却,制得多通道管状SiC多孔陶瓷素胚;3)将步骤2)制得的多通道管状SiC多孔陶瓷素胚,放入管式炉中,在氮气气氛下,按6℃/min的速度升温至200℃,再按9℃/min的速度升温至1200—1300℃,并保温2h,完成后随炉冷却至室温,制得SiC多孔陶瓷。本发明的有益效果在于:具有高连通空隙率及高抗折强度,提升了其使用性能,并且可在较低的温度下烧结,节约了能源。
公开/授权文献
- CN104030721B 一种低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法 公开/授权日:2015-08-19