本发明是一种测量绝缘衬底上薄膜硅材料泊松比的测试结构及方法。该测试结构由两组结构构成，其中第一组结构由一个多晶硅悬臂梁(101)、一个薄膜硅十字梁(103)和一个由薄膜硅制作的垫板(102)组成；第二组结构由一个多晶硅悬臂梁和一个薄膜硅制作的垫板组成；实际测量薄膜硅泊松比的单元是薄膜硅十字梁，而两组结构的差别仅在于是否包括薄膜硅十字梁，两组结构中其他对应单元结构和几何尺寸完全相同。施加静电力使多晶硅悬臂梁下弯并进而下压薄膜硅十字梁和垫板接触衬底。通过两组测试结构的测试提取出单独驱动薄膜硅十字梁扭转到测试角度所需要的力，由力、测试角度、杨氏模量和几何尺寸可以计算得到绝缘衬底上薄膜硅材料的泊松比。