本发明公开了一种PECVD沉积低表面复合太阳电池介电层的方法，将经过清洗制绒、扩散和刻蚀的硅片放入PECVD腔室，抽真空后通入反应气体，加射频起辉低温沉积一层厚度为1~30nm的介电层薄膜；再次抽真空并升高沉积温度，待温度稳定后通入反应气体，加射频起辉高温沉积一层厚度为50~100nm的介电层薄膜。本发明采用分步变温沉积方式，先进行低温沉积同时使用较低的射频电源功率，降低等离子体对硅片表面的轰击作用；再进行高温沉积，同时使用较高的激励源功率，增加氢原子的产生以及其在介电膜和硅的界面处的扩散，此时由于低温沉积层的保护，高能量密度等离子体并不会直接作用在硅片表面，从而实现硅片表面缺陷态密度的降低和氢钝化的增强，降低载流子复合，提升太阳电池电性能。