发明公开
- 专利标题: 一种BN离子门及其制作方法
- 专利标题(英): BN ion door and manufacturing method thereof
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申请号: CN201410253929.5申请日: 2014-06-09
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公开(公告)号: CN104051203A公开(公告)日: 2014-09-17
- 发明人: 倪凯 , 郭静然 , 欧光礼 , 张小郭 , 余泉 , 钱翔 , 王晓浩
- 申请人: 清华大学深圳研究生院
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区西丽大学城清华校区
- 专利权人: 清华大学深圳研究生院
- 当前专利权人: 清华大学深圳研究生院
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区西丽大学城清华校区
- 代理机构: 深圳新创友知识产权代理有限公司
- 代理商 江耀纯
- 主分类号: H01J9/00
- IPC分类号: H01J9/00 ; H01J3/26
摘要:
本发明公开一种BN离子门及其制作方法,该方法包括:S1、提供绝缘基板和金属丝;S2、提供逐渐变小的预紧力作用于金属丝以使金属丝绕制到绝缘基板上,以在绝缘基板的同一面形成相互平行且等间距排列的多根金属丝段,并且多根金属丝段形成交替排列且相互绝缘的第一金属丝组和第二金属丝组,且各金属丝段具有相同的内部张紧力;其中,提供渐变预紧力使得欲绕制的第i根金属丝段受其对应的预紧力而伸长后的长度等于绝缘基板受已绕制的i-1根金属丝段压迫后的长度,且已绕制的金属丝段受张紧力而伸长后的长度等于绝缘基板受已绕制的金属丝段压迫后的长度,其中i为正整数。本发明的方法制作的BN离子门径向电场均匀、稳定。
公开/授权文献
- CN104051203B 一种BN离子门及其制作方法 公开/授权日:2016-04-20