- 专利标题: 一种高电压氧化镍钴锰锂正极材料的制备方法
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申请号: CN201410286942.0申请日: 2014-06-24
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公开(公告)号: CN104051725B公开(公告)日: 2016-08-24
- 发明人: 徐宁 , 程晓焜 , 吴孟涛 , 唐淼 , 吕菲 , 魏玉研
- 申请人: 天津巴莫科技股份有限公司
- 申请人地址: 天津市滨海新区华苑产业园区(环外)海泰大道8号
- 专利权人: 天津巴莫科技股份有限公司
- 当前专利权人: 天津巴莫科技有限责任公司
- 当前专利权人地址: 天津市滨海新区华苑产业园区(环外)海泰大道8号
- 代理机构: 天津才智专利商标代理有限公司
- 代理商 王晓红
- 主分类号: H01M4/505
- IPC分类号: H01M4/505 ; H01M4/525 ; H01M4/62
摘要:
本发明公开了一种高电压氧化镍钴锰锂正极材料的制备方法,首先采用掺杂的方式在氧化镍钴锰锂一次料结构中引入金属元素以稳定其结构;在对一次料的包覆过程中,利用尿素缓释氢氧根的特点和诱导剂对金属离子的引导作用,创造出一种速率可控的均相包覆体系,这种包覆方法能够使得金属化合物缓慢生成,有序的附着在氧化镍钴锰锂一次料表面,最终形成一层均匀的包覆膜。用此制备方法合成的氧化镍钴锰锂正极材料,在高电压条件下(4.35V)具有良好的循环性能。
公开/授权文献
- CN104051725A 一种高电压氧化镍钴锰锂正极材料的制备方法 公开/授权日:2014-09-17