发明授权
CN104058750B 高储能密度BST基铁电陶瓷的制备技术
失效 - 权利终止
摘要:
本发明涉及一种BST基高储能密度铁电陶瓷的制备技术,该发明首先用固相反应法制备出BSCT(Ba0.3Sr0.6Ca0.1TiO3)陶瓷粉体,复合掺杂一定量的Bi2O3·3Ti02和不同含量的MgO,将制得的粉体加入15%PVA造粒后经单项轴压成型,得到生坯;生坯片以150℃/h的升温速度升温至800℃保温一小时排胶然后以200℃/h继续升温至1260~1340℃保温2h,得到BSCT基储能介质陶瓷。得到的陶瓷样品具有击穿强度高,储能密度较高的特点。
公开/授权文献
- CN104058750A 高储能密度BST基铁电陶瓷的制备技术 公开/授权日:2014-09-24
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