发明公开
CN104089572A 一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法
- 专利标题(英): Method for detecting roughness of etched side walls through capacitance changes
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申请号: CN201410364545.0申请日: 2014-07-28
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公开(公告)号: CN104089572A公开(公告)日: 2014-10-08
- 发明人: 张立 , 何军 , 张大成 , 黄贤 , 赵丹淇 , 王玮 , 杨芳 , 田大宇 , 刘鹏 , 李婷 , 罗葵
- 申请人: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
- 申请人地址: 北京市海淀区颐和园路5号北京大学
- 专利权人: 北京大学,北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
- 当前专利权人: 北京大学,北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区颐和园路5号北京大学
- 代理机构: 北京君尚知识产权代理事务所
- 代理商 余长江
- 主分类号: G01B7/34
- IPC分类号: G01B7/34
摘要:
本发明公开了一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法,仅在功能区域进行刻蚀工艺前添加上述工艺流程,避免增加功能器件设计的复杂;利用检测区域电容变化反应功能区域侧壁粗糙,减小了小尺寸带来的误差,同时避免裂断面等对器件结构有损害的操作,实现对刻蚀结构的无损检测;检测区域数目由功能区域刻蚀窗口大小种类决定,实现了更加精准地检测不同条件下的刻蚀侧壁粗糙目的,同时实现对不同刻蚀条件下侧壁粗糙的一步检测。本发明设计的工艺流程简单,各工序均为成熟技术,工艺难度较低,实现简便,易于操作。
公开/授权文献
- CN104089572B 一种利用电容变化检测刻蚀侧壁粗糙的方法 公开/授权日:2016-12-07