本发明公开了一种离子注入的监控方法，涉及半导体领域，能够准确地监控离子注入的剂量是否达到预定要求，有效避免衬底的本征电阻波动造成监测结果超限的缺陷，提高监测准确性，改善了器件的性能和良品率。所述离子注入的监控方法包括：a、提供监控片，并在监控片上形成部分覆盖的掩膜层；b、进行离子注入制程，对监控片进行预定剂量的杂质离子注入，监控片上未被掩膜层覆盖区域为杂质注入区域，被掩膜层覆盖区域为杂质未注入区域；c、剥离监控片上的掩膜层；d、对监控片进行氧化处理；e、分别测试监控片上杂质注入区域和杂质未注入区域的氧化层厚度，根据杂质注入区域和杂质未注入区域的氧化层厚度比值，监测离子注入的杂质剂量。