发明授权
CN104093259B 靶材、源、EUV光刻设备和使用该设备的器件制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 靶材、源、EUV光刻设备和使用该设备的器件制造方法
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申请号： CN201410225307.1申请日： 2009-03-20
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公开(公告)号： CN104093259B公开(公告)日： 2017-01-11
- 发明人: V·M·克里夫特逊 , V·Y·班尼恩 , A·J·布里克 , V·V·伊万诺夫 , K·N·克什烈夫 , J·H·J·莫尔斯 , S·丘里洛夫 , D·格卢什科夫
- 申请人： ASML荷兰有限公司
- 申请人地址： 荷兰维德霍温
- 专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰维德霍温
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 张启程
- 优先权： 61/064,720 2008.03.21 US
- 分案原申请号： 200980109474.7 2009.03.20
- 主分类号： H05G2/00
- IPC分类号： H05G2/00
摘要：
本发明公开了一种靶材、源、EUV光刻设备和使用该设备的器件制造方法。所述靶材被配置成用于被构造且被布置以产生具有在6.8nm范围内的波长的辐射束的源中。靶材包括被配置以改变Gd的熔化温度的基于Gd的合成物，或Tb，或被配置以减小Tb的熔化温度的基于Tb的合成物。
公开/授权文献
- CN104093259A 靶材、源、EUV光刻设备和使用该设备的器件制造方法 公开/授权日：2014-10-08
