Invention Publication
- Patent Title: 微结构化电极结构
- Patent Title (English): Microstructured electrode structures
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Application No.: CN201380006585.1Application Date: 2013-01-24
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Publication No.: CN104094451APublication Date: 2014-10-08
- Inventor: A·拉希里 , R·思博尼茨 , N·沙阿 , M·拉马苏布拉马尼亚 , H·J·鲁斯特三世 , J·D·威尔科克斯 , M·J·阿姆斯特朗 , B·布鲁斯卡 , C·卡斯特勒蒂内 , L·J·劳克兰
- Applicant: 艾诺维克斯公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 艾诺维克斯公司
- Current Assignee: 艾诺维克斯公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 贺月娇; 杨晓光
- Priority: 13/357,320 2012.01.24 US
- International Application: PCT/US2013/022868 2013.01.24
- International Announcement: WO2013/112670 EN 2013.08.01
- Date entered country: 2014-07-24
- Main IPC: H01M4/02
- IPC: H01M4/02 ; H01M4/13 ; H01M4/38 ; H01M4/134 ; H01M10/05

Abstract:
一种在储能装置中使用的结构,该结构包括从参考平面大致垂直地延伸的主干系统以及由所述主干的侧面支撑的微结构化阳极活性材料层的群组,每个所述微结构化阳极活性材料层具有至少0.1的空隙体积分率和至少1微米的厚度。
Public/Granted literature
- CN104094451B 微结构化电极结构 Public/Granted day:2017-11-03
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