- 专利标题: R-T-B-Ga系磁体用原料合金及其制造方法
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申请号: CN201380008046.1申请日: 2013-02-01
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公开(公告)号: CN104114305B公开(公告)日: 2016-10-26
- 发明人: 佐口明彦 , 祢宜教之 , 米村光治
- 申请人: 和歌山稀土株式会社
- 申请人地址: 日本和歌山县
- 专利权人: 和歌山稀土株式会社
- 当前专利权人: 株式会社三德
- 当前专利权人地址: 日本和歌山县
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 李茂家
- 优先权: 2012-020518 2012.02.02 JP
- 国际申请: PCT/JP2013/000568 2013.02.01
- 国际公布: WO2013/114892 JA 2013.08.08
- 进入国家日期: 2014-08-04
- 主分类号: B22F1/00
- IPC分类号: B22F1/00 ; C22C38/00 ; H01F1/057
摘要:
R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金(其中,R为包含Y的稀土元素之中的至少1种、T是以Fe为必须的1种以上过渡元素)中,包含作为主相的R2T14B相3和浓缩有R的富R相(1和2),通过使富R相内的非晶相1中的Ga含有率(质量%)高于富R相内的结晶相2中的Ga含有率(质量%),在作为原料使用的稀土磁体中,能够提高磁特性同时能够降低磁特性的偏差。为了抑制激冷晶体的形成和α‑Fe的结晶,优选的是,R‑T‑B‑Ga系磁体用原料合金的平均厚度为0.1mm以上且1.0mm以下。
公开/授权文献
- CN104114305A R-T-B-Ga系磁体用原料合金及其制造方法 公开/授权日:2014-10-22