发明公开
- 专利标题： 具有半导体特性的化合物和相关组合物与器件
- 专利标题（英）： Compounds having semiconducting properties and related compositions and devices
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申请号： CN201280067443.1申请日： 2012-11-21
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公开(公告)号： CN104126235A公开(公告)日： 2014-10-29
- 发明人: A·菲奇提 , H·乌斯塔 , 王璟琦 , 黄春 , C·纽曼
- 申请人： 破立纪元有限公司
- 申请人地址： 美国伊利诺斯州
- 专利权人： 破立纪元有限公司
- 当前专利权人： 破立纪元有限公司
- 当前专利权人地址： 美国伊利诺斯州
- 代理机构： 北京安信方达知识产权代理有限公司
- 代理商 张瑞; 高瑜
- 优先权： 61/562,683 2011.11.22 US
- 国际申请： PCT/US2012/066388 2012.11.21
- 国际公布： WO2013/078407 EN 2013.05.30
- 进入国家日期： 2014-07-18
- 主分类号： H01L51/00
- IPC分类号： H01L51/00
摘要：
披露了具有半导体特性的新型化合物。这些化合物可以被加工成薄膜半导体，这些薄膜半导体展现出高载流子迁移率和/或良好的电流调制特征。
IPC分类:
