一种具有低临界频率的双频液晶材料
摘要:
本发明公布一种具有低临界频率的双频液晶材料,由20.0~25.0%的组分A、20.0~25.0%的组分B、17.5~22.5%的组分C、7.5~12.5%的组分D、7.5~12.5%的组分E、5.0~10.0%的组分F和5.0~10.0%的组分G按总量100%熔融混合形成;其中,组分A是具有环己烷氟代二苯乙炔骨架结构的系列衍生物;B是具有氟代二苯乙炔骨架结构的系列衍生物;C是具有环己烷苯环骨架结构的系列衍生物;D是具有二苯乙炔骨架结构的系列衍生物;E是具有三环单酯侧氟基端氰基骨架结构的系列衍生物;F是具有三环双酯侧二氰基骨架结构的系列衍生物。该材料具有低的临界频率、较宽的液晶相温度和低粘度,用于制备低工作电压、快速响应的双频驱动液晶器件。
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