发明公开
- 专利标题: 化合物硼酸钠镉晶体的生长方法
- 专利标题(英): Method for growth of compound cadmium sodium borate crystal
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申请号: CN201310166077.1申请日: 2013-05-08
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公开(公告)号: CN104141170A公开(公告)日: 2014-11-12
- 发明人: 潘世烈 , 周琳
- 申请人: 中国科学院新疆理化技术研究所
- 申请人地址: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
- 专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
- 当前专利权人地址: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
- 代理机构: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所
- 代理商 张莉
- 主分类号: C30B29/22
- IPC分类号: C30B29/22 ; C30B11/06
摘要:
本发明涉及一种化合物硼酸钠镉晶体的生长方法,该方法将硼酸钠镉化合物与助溶剂B2O3-R体系或Na2B4O7混合,加热,恒温,再冷却,得到含硼酸钠镉与助溶剂的混合熔液,将装在籽晶杆上的籽晶放入制备的混合熔体中,同时旋转籽晶杆,冷却,然后缓慢降温,得到所需晶体,将晶体提离液面,降至室温,即得到化合物硼酸钠镉晶体。该方法生长速度快,成本低,可生长20mm×20mm×10mm与高光学质量的Na2Cd7B8O20晶体,通过本发明所述方法获得的晶体机械性能好,不易碎裂,不潮解,易加工。
公开/授权文献
- CN104141170B 化合物硼酸钠镉晶体的生长方法 公开/授权日:2016-07-06
IPC分类: