发明授权
CN104157630B 一种超低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种超低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法
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申请号： CN201410454474.3申请日： 2014-09-09
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公开(公告)号： CN104157630B公开(公告)日： 2017-10-17
- 发明人: 马素德 , 闵忠华 , 王岩 , 张勤勇
- 申请人： 西华大学
- 申请人地址： 四川省成都市金牛区土桥金周路999号
- 专利权人： 西华大学
- 当前专利权人： 西华大学
- 当前专利权人地址： 四川省成都市金牛区土桥金周路999号
- 代理机构： 成都华风专利事务所
- 代理商 徐丰
- 主分类号： H01L23/532
- IPC分类号： H01L23/532 ; H01L21/768 ; H01L21/312
摘要：
本发明旨在提供一种具有超低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法，本发明目的是通过在聚酰亚胺薄膜中构建纳孔结构的手段来实现的。所含纳孔结构中含有空气，空气体积占到全部薄膜体积的10%~40%，从而可大幅度降低本体聚酰亚胺薄膜的介电常数。其次，该种纳孔结构尺寸均一，在电场中可使外加场强均匀化分布，不容易出现电压集中于某点的现象，从而可有效避免因为构建纳孔结构引起的薄膜击穿电压性能的劣化，大大增加了该类材料的使用范围。
公开/授权文献
- CN104157630A 一种超低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法 公开/授权日：2014-11-19
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