Invention Grant
- Patent Title: 背照式CMOS图像传感器及其形成方法
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Application No.: CN201410159090.9Application Date: 2014-04-18
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Publication No.: CN104167420BPublication Date: 2017-08-18
- Inventor: 王唯科 , 林绮涵 , 涂宗儒 , 萧玉焜 , 张志光
- Applicant: 采钰科技股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹市
- Assignee: 采钰科技股份有限公司
- Current Assignee: 采钰科技股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹市
- Agency: 隆天知识产权代理有限公司
- Agent 张浴月; 李玉锁
- Priority: 13/895,819 20130516 US 14/096,440 20131204 US
- Main IPC: H01L27/146
- IPC: H01L27/146 ; H01L21/8238
Abstract:
本发明提供一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法,所述背照式CMOS图像传感器包含:一第一保护层设于一光二极管阵列上;一氧化物格栅设于第一保护层上,并形成多个暴露第一保护层的孔洞;一彩色滤光片阵列,包含多个彩色滤光片并填入所述多个孔洞中,其中氧化物格栅的折射率小于这些彩色滤光片的折射率;一金属格栅,对齐于这些氧化物格栅,其中金属格栅的消光系数大于0。本发明不但可减少相邻像素单元之间的光串音问题,且可增加入射光入射至光二极管的强度,因而可更提升BSI CMOS图像传感器的效能及量子效率。
Public/Granted literature
- CN104167420A 背照式CMOS图像传感器及其形成方法 Public/Granted day:2014-11-26
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IPC分类: