背照式CMOS图像传感器及其形成方法
Abstract:
本发明提供一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法,所述背照式CMOS图像传感器包含:一第一保护层设于一光二极管阵列上;一氧化物格栅设于第一保护层上,并形成多个暴露第一保护层的孔洞;一彩色滤光片阵列,包含多个彩色滤光片并填入所述多个孔洞中,其中氧化物格栅的折射率小于这些彩色滤光片的折射率;一金属格栅,对齐于这些氧化物格栅,其中金属格栅的消光系数大于0。本发明不但可减少相邻像素单元之间的光串音问题,且可增加入射光入射至光二极管的强度,因而可更提升BSI CMOS图像传感器的效能及量子效率。
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