发明授权
- 专利标题： 磁阻效应元件及磁存储器
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申请号： CN201380015011.0申请日： 2013-03-25
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公开(公告)号： CN104170074B公开(公告)日： 2017-04-26
- 发明人: 佐藤英夫 , 深见俊辅 , 山内路彦 , 池田正二 , 松仓文礼 , 大野英男
- 申请人： 国立大学法人东北大学
- 申请人地址： 日本宫城县
- 专利权人： 国立大学法人东北大学
- 当前专利权人： 国立大学法人东北大学
- 当前专利权人地址： 日本宫城县
- 代理机构： 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理商 谢顺星; 张晶
- 优先权： 2012-088846 20120409 JP 2012-111089 20120515 JP
- 国际申请： PCT/JP2013/058528 2013.03.25
- 国际公布： WO2013/153942 JA 2013.10.17
- 进入国家日期： 2014-09-18
- 主分类号： H01L21/8246
- IPC分类号： H01L21/8246 ; H01F10/16 ; H01F10/32 ; H01L27/105 ; H01L29/82 ; H01L43/08 ; H01L43/10
摘要：
本发明提供在膜面内进行垂直磁化记录的记录层的热稳定性高的磁阻效应元件及使用了该磁阻效应元件的磁存储器。所述磁阻效应元件具备包含磁化方向不变的第一强磁性层(106)、磁化方向可变的第二强磁性层(109)、设置在第一强磁性层(106)和第二强磁性层(109)之间的第一非磁性层(110)、与第一强磁性层及第二强磁性层连接的电流供给端子(201、202)、设置在第二强磁性层(109)的与第一非磁性层(110)相反侧的面上的非磁耦合层(203)、设置在非磁耦合层(203)的与第二强磁性层(109)的相反侧的面上的磁化方向可变的第三强磁性层(204)、设置在第三强磁性层(204)的与所述非磁耦合层(203)相反侧面上的第二非磁性层(205)；所述第二强磁性层(109)与所述第三强磁性层(204)磁化方向相同，通过电流进行自旋注入磁化反转。
公开/授权文献
- CN104170074A 磁阻效应元件及磁存储器 公开/授权日：2014-11-26
IPC分类:
