一种用于制造外延结构的方法，包括提供衬底（102,202,302,402）和衬底的第一侧上的异质结堆叠，以及在衬底的第二侧上形成GaN发光二极管堆叠（134）。异质结堆叠包括无掺杂氮化镓（GaN）层和无掺杂GaN层上的掺杂氮化铝镓（AlGaN）层。GaN发光二极管堆叠（134）包括衬底之上的n型GaN层（136）、n型GaN层之上的GaN/氮化铟镓（InGaN）多量子阱（MQW）结构（138）、n型GaN/InGaN MQW结构之上的p型AlGaN层（140），以及p型AlGaN层之上的p型GaN层（142）。