本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体基底，并在其的一面形成第一电极；半导体漂移区，其由第一漂移区、第二漂移区、第三漂移区组成，且第一漂移区、第二漂移区、第三漂移区按顺序依次向上堆积在半导体基底的另一面上；基极区，其形成于第三漂移区内部；源极区，其形成于基极区内部；栅极介质层，其形成在第三漂移区上面，且位于两个基极区之间；栅极，其形成于栅极介质层之上；金属前介质层，其形成于栅极周围和除两个源极区之间的其余第三漂移区顶部；第二电极，其形成于栅极、金属前介质层和两个源极区之间的第三漂移区上面。此外，本发明还公开了该半导体器件的形成方法。本发明能有效提高超级结漂移区的电荷平衡能力。