- 专利标题: 基于STM32F407IG的超级电容充电器
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申请号: CN201410469175.7申请日: 2014-09-16
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公开(公告)号: CN104184198B公开(公告)日: 2024-01-02
- 发明人: 李相武 , 王瑛 , 李忠喜
- 申请人: 哈尔滨工程北米科技有限公司
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街258号船舶大厦1408室
- 专利权人: 哈尔滨工程北米科技有限公司
- 当前专利权人: 哈尔滨工程北米科技有限公司
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街258号船舶大厦1408室
- 主分类号: H02J7/00
- IPC分类号: H02J7/00
摘要:
本发明公开了一种基于STM32F407IG的超级电容充电器,由电源、buck主电路、驱动电路、ARM、保护电路、放大电路、采样滤波电路组成。其中采用buck降压斩波电路,为一个直流电源输入,MOSFET、二极管D1、电感L1和电容C1构成的斩波电路。buck主电路和超级电容器相连,为其充电;驱动电路与buck主电路连接,构成斩波电路。ARM与超级电容通过保护电路连接,ARM与驱动电路连接,输出信号控制驱动电路;buck主电路通过与采用滤波电路连接来给ARM反馈信号,采样滤波电路和放大电路相连,放大电路和ARM相连。本发明采用以STM32F407IG为控制核心,实现PWM的输出,TLP521驱动MOSFET,能够简化硬件电路,并提高控制精度。
公开/授权文献
- CN104184198A 基于STM32F407IG的超级电容充电器 公开/授权日:2014-12-03