发明公开
CN104193321A 一种纳米二氧化锡压敏电阻复合粉体材料及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种纳米二氧化锡压敏电阻复合粉体材料及其制备方法
- 专利标题(英): Nanotin dioxide piezoresistor composite powder material and preparation method thereof
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申请号: CN201410446308.9申请日: 2014-09-03
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公开(公告)号: CN104193321A公开(公告)日: 2014-12-10
- 发明人: 徐金宝 , 张家齐 , 边亮 , 王磊
- 申请人: 中国科学院新疆理化技术研究所
- 申请人地址: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
- 专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
- 当前专利权人: 中国科学院新疆理化技术研究所
- 当前专利权人地址: 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
- 代理机构: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所
- 代理商 张莉
- 主分类号: C04B35/453
- IPC分类号: C04B35/453 ; C04B35/626 ; C04B35/63
摘要:
本发明涉及一种纳米二氧化锡压敏电阻复合粉体材料,该材料是由二氧化锡、三氧化二铋、三氧化二锑和三氧化二钇制成,采用强制微观混合方法,以胶体磨为反应容器,通过成核/生长隔离方法制备高性能纳米二氧化锡复合粉体。制备性能优良的纳米氧化锡复合粉体是获得高性能高压压敏电阻器的关键。成核/生长隔离制备采用强制微观混合技术,将盐溶液与碱溶液在反应器转子与定子之间的缝隙处迅速充分混合,从而使材料具有粒子尺寸小和分布均匀的特性,在晶粒成长过程中能够使得锌元素与其他改性元素共沉淀,提高了复合粉体的微观均匀性。从而得到粒径小、改性氧化物分布均匀、粒径分布狭窄的二氧化锡纳米复合粉体。
公开/授权文献
- CN104193321B 一种纳米二氧化锡压敏电阻复合粉体材料及其制备方法 公开/授权日:2016-03-16
IPC分类: