- 专利标题: 一种无压烧结制备高纯六方氮化硼陶瓷的方法
- 专利标题(英): Method for preparing high-purity hexagonal boron nitride ceramic by pressureless sintering
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申请号: CN201410422994.6申请日: 2014-08-25
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公开(公告)号: CN104193341A公开(公告)日: 2014-12-10
- 发明人: 王太保 , 胡春峰 , 杨建 , 金灿灿 , 丘泰
- 申请人: 南京工业大学
- 申请人地址: 江苏省南京市浦口区浦珠南路30号
- 专利权人: 南京工业大学
- 当前专利权人: 南京工业大学
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市浦口区浦珠南路30号
- 代理机构: 南京天华专利代理有限责任公司
- 代理商 徐冬涛; 袁正英
- 主分类号: C04B35/5833
- IPC分类号: C04B35/5833 ; C04B35/622 ; C04B35/64
摘要:
本发明涉及一种无压烧结制备高纯六方氮化硼陶瓷的方法,其具体步骤为:以商业六方氮化硼粉为原料,将其装入不锈钢模具内,采用双向加压的方式冷压成型,再放入冷等静压机中成型;烧结过程分为两段,先在马弗炉中空气气氛下预烧,再在通有氮气的热压炉内进行无压烧结,制备得到高纯六方氮化硼陶瓷。本发明可在无压烧结工艺条件下制备出高纯六方氮化硼陶瓷,其具有耐高温性好、导热性好、抗热震性好、易加工成复杂形状部件等特点,并且制备工艺简单,生产成本低,适合工业化生产。
公开/授权文献
- CN104193341B 一种无压烧结制备高纯六方氮化硼陶瓷的方法 公开/授权日:2016-02-10
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