在此提供用于处理基板的设备。在一些实施方式中，一种设备包括处理配件，所述处理配件包括挡板，所述挡板具有配置成围绕第一容积的一个或更多个侧壁，所述第一容积设置在工艺腔室的内容积内；以及第一环，所述第一环可移动地介于第一位置与第二位置之间，在第一位置，第一环置于挡板上，而在第二位置，在第一环的外表面与一个或更多个侧壁的内表面之间形成间隙，其中对于在约40MHz或更高的频率下和约140毫托或更低的压力下形成的等离子体而言，间隙的宽度小于约两倍等离子体壳层的宽度。