本发明涉及一种处理反应器壳体的处理室(101)内的至少一个基板(105，106，107)的方法，其中，将所述一个或多个基板(105，106，107)放置于可使用加热元件(109，110，111)加热的基座(108)上，其中，使用加热元件(109，110，111)来加热基座(108)的空间配属区域，所述加热元件分别对应该基座(108)的朝向处理室(101)一侧的表面区域(112，113，113'，114)，其中，在多个测量点上通过光学测量传感器(1至35)对表面区域(112，113，113'，114)的温度和/或配置于此处的至少一个基板(105，106，107)的温度进行测量，将传感器(1至35)所测得的测量值输入用于控制加热元件(109，110，110'，111)的热功率的控制装置(115，116，117，122)。为了对温度控制进行优化，本发明提出，分别使用温度测量值的组合来控制加热元件(109，110，110'，111)的热功率。