Invention Grant
- Patent Title: 包括抗谐振波导的混合激光器
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Application No.: CN201280071826.6Application Date: 2012-03-26
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Publication No.: CN104205533BPublication Date: 2018-03-30
- Inventor: H·朴
- Applicant: 英特尔公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 英特尔公司
- Current Assignee: 英特尔公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 姬利永
- International Application: PCT/US2012/030601 2012.03.26
- International Announcement: WO2013/147740 EN 2013.10.03
- Date entered country: 2014-09-25
- Main IPC: H01S5/20
- IPC: H01S5/20 ; H01S5/10

Abstract:
描述了包括包含抗谐振波导的混合激光器的装置和系统以及用于制作这种装置和系统的方法的实施例。混合激光器装置可包括:第一半导体区域,包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域;以及与该第一半导体区域耦合并且具有光波导的第二半导体区域,第一沟槽被布置在该光波导的第一侧,并且第二沟槽被布置在该光波导的与该第一侧相对的第二侧。可描述和/或要求保护其他实施例。
Public/Granted literature
- CN104205533A 包括抗谐振波导的混合激光器 Public/Granted day:2014-12-10
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