- 专利标题: 一种制备ZnxCd1-xS纳米空心砖的方法
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申请号: CN201410440334.0申请日: 2014-09-01
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公开(公告)号: CN104229870B公开(公告)日: 2016-03-16
- 发明人: 胡勇 , 胡恩来
- 申请人: 浙江师范大学
- 申请人地址: 浙江省金华市婺城区迎宾大道688号浙江师范大学物理化学研究所
- 专利权人: 浙江师范大学
- 当前专利权人: 广西青辉环保技术有限责任公司
- 当前专利权人地址: 浙江省金华市婺城区迎宾大道688号浙江师范大学物理化学研究所
- 代理机构: 金华科源专利事务所有限公司
- 代理商 胡杰平
- 主分类号: C01G11/02
- IPC分类号: C01G11/02 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00
摘要:
本发明是一种制备ZnxCd1-xS纳米空心砖的方法。本发明制备ZnxCd1-xS纳米空心砖的方法是:以实心的钨酸银(Ag2WO4)纳米砖为模板,采用水和乙二醇为溶剂,以硫代乙酰胺(TAA)为硫源,采用水浴加热方法,获得中间产物硫化银(Ag2S)纳米空心砖;将所得的Ag2S纳米空心砖为模板,加入不同比例无机盐醋酸镉(Cd(CH3COO)2·2H2O)和醋酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O),以甲醇(MeOH)为溶剂,采用三苯基膦(TBP)为络合剂,在微波法加热的过程中通过阳离子交换反应制备出ZnxCd1-xS纳米空心砖。本发明制备的ZnxCd1-xS纳米空心砖具有产品成本低、易控制、均匀性高、重复性好等特点。
公开/授权文献
- CN104229870A 一种制备ZnxCd1-xS纳米空心砖的方法 公开/授权日:2014-12-24
IPC分类: