- 专利标题: 一种快速可控制备Mg-Si-Sn基热电材料的方法
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申请号: CN201410446023.5申请日: 2014-09-03
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公开(公告)号: CN104232960B公开(公告)日: 2017-01-04
- 发明人: 唐新峰 , 尹康 , 邱思源 , 张强 , 鄢永高 , 苏贤礼
- 申请人: 武汉理工大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人: 武汉理工大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 唐万荣; 张秋燕
- 主分类号: C22C1/04
- IPC分类号: C22C1/04 ; C22C23/00
摘要:
本发明涉及一种快速可控制备Mg-Si-Sn基热电材料的方法,包含以下步骤:1)配料压片:在惰性气体保护下,按化学式Mg2(1+z)Si1-xSnxSby(0≤z≤0.12,0≤x≤1.0,0≤y≤0.025)中各元素的化学计量比称取Mg粉、Mg2Si粉、Sn粉及Sb粉作为原料,混合均匀压制成块体;2)所得块体真空密封后,加热到823–833K,保温5-10min,随炉冷却;3)步骤2)所得产物在惰性气体保护下研成粉末,进行放电等离子活化烧结,即可得到高性能的Mg-Si-Sn基热电材料。本发明具有工艺简单、能耗低、制备周期短、重复性好、得到的块体材料热电性能优异等特点。
公开/授权文献
- CN104232960A 一种快速可控制备Mg-Si-Sn基热电材料的方法 公开/授权日:2014-12-24