发光器件和照明系统

Invention Grant

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Patent Title: 发光器件和照明系统
Application No.: CN201410264527.5

Application Date: 2014-06-13
Publication No.: CN104241481B

Publication Date: 2017-05-17
Inventor: 崔恩实
Applicant: LG伊诺特有限公司
Applicant Address: 韩国首尔
Assignee: LG伊诺特有限公司
Current Assignee: 苏州乐琻半导体有限公司
Current Assignee Address: 韩国首尔
Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
Agent 顾晋伟; 彭鲲鹏
Priority: 10-2013-0068240 20130614 KR
Main IPC: H01L33/32
IPC: H01L33/32 ; H01L33/20

Abstract:

本发明公开了一种发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。该发光器件包括：第一电极层(87)；在第一电极层(87)上的第二导电半导体层(13)；在第二导电半导体层(13)上的有源层(12)；在有源层(12)上的第一导电半导体层(11)；在第一导电半导体层(11)上的AlyGa1‑yN层(16)(其中，0

Public/Granted literature

CN104241481A 发光器件和照明系统 Public/Granted day:2014-12-24

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L33/00	至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L27/15；半导体激光器入H01S5/00）
H01L33/02	.以半导体为特征的
H01L33/26	..发光区的材料
H01L33/30	...只包括周期体系中的III族和V族的元素
H01L33/32	....含氮