- 专利标题： 计算长寿命放射性核素的短半衰期子核岸边沉积外照射剂量的方法
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申请号： CN201410455416.2申请日： 2014-09-09
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公开(公告)号： CN104268374B公开(公告)日： 2017-07-28
- 发明人: 王晓亮 , 熊章辉 , 郑伟
- 申请人： 中国核电工程有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区西三环北路117号
- 专利权人： 中国核电工程有限公司
- 当前专利权人： 中国核电工程有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区西三环北路117号
- 代理机构： 北京天悦专利代理事务所
- 代理商 田明; 任晓航
- 主分类号： G06F19/00
- IPC分类号： G06F19/00
摘要：
本发明涉及一种计算长寿命放射性核素的短半衰期子核岸边沉积外照射剂量的方法，该方法根据核设施液态流出物的排放源项，判断母核和子核所建立的平衡关系，依据放射性核素衰变的基本规律，确定子核在沉积地点的放射性活度A子、衰变常数λ子以及子核的地表沉积外照射剂量转换因子DCF子，计算在沉积地点的地表岸边沉积外照射剂量。本发明可以用于各种与核设施液态流出物排放造成的地表沉积外照射的计算，解决目前在相关评价计算中所遇到的技术问题。
公开/授权文献
- CN104268374A 计算长寿命放射性核素的短半衰期子核岸边沉积外照射剂量的方法 公开/授权日：2015-01-07
