发明公开
CN104269484A 防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法
- 专利标题(英): Method for preventing LED chip electrode from generating pits during aluminum evaporation
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申请号: CN201410566098.7申请日: 2014-10-22
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公开(公告)号: CN104269484A公开(公告)日: 2015-01-07
- 发明人: 胡弃疾 , 苗振林 , 汪延明
- 申请人: 湘能华磊光电股份有限公司
- 申请人地址: 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区
- 专利权人: 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人: 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区
- 代理机构: 北京爱普纳杰专利代理事务所
- 代理商 何自刚
- 主分类号: H01L33/40
- IPC分类号: H01L33/40 ; H01L33/38 ; H01L33/00
摘要:
本申请公开了一种防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法,包括:将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀,N=N1+N2+…+Nn,每个部分层进行蒸镀的间隔时间为5秒~60秒,直到把整个铝膜蒸镀完毕;或将厚度为N的铝膜分成n个部分层进行分别蒸镀,N=N1+N2+…+Nn,所述N1=N2=…=Nn,每个部分层进行蒸镀的间隔时间为10秒,直到把整个铝膜蒸镀完毕;所述每个部分层进行蒸镀的间隔时间相等。所述蒸镀在20~50℃的温度条件下使用的速率进行。本发明的优点是:第一,操作性强,铝粒不会生长成较大的铝颗粒;第二,可靠性高,对产能没有影响。
公开/授权文献
- CN104269484B 防止蒸镀铝时LED芯片电极产生麻点的方法 公开/授权日:2017-08-25
IPC分类: