发明公开
CN104281728A 降低半导体器件功耗的系统及方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 降低半导体器件功耗的系统及方法
- 专利标题(英): System and method for reducing power consumption in semiconductor device
-
申请号: CN201410308795.2申请日: 2014-07-01
-
公开(公告)号: CN104281728A公开(公告)日: 2015-01-14
- 发明人: A·M·雅拉尔 , M·D·霍尔 , D·R·提波尔 , S·维拉拉格哈凡
- 申请人: 飞思卡尔半导体公司
- 申请人地址: 美国得克萨斯
- 专利权人: 飞思卡尔半导体公司
- 当前专利权人: 恩智浦美国有限公司
- 当前专利权人地址: 美国得克萨斯
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 秦晨
- 优先权: 13/940,644 2013.07.12 US
- 主分类号: G06F17/50
- IPC分类号: G06F17/50 ; G06F1/32
摘要:
本发明涉及降低半导体器件功耗的系统及方法。一种制作第一时序路径(406,408)的方法包括开发具有第一逻辑电路(406)和第一功能单元(408)的第一时序路径的第一设计,其中第一功能单元包括与第一阱边界间隔开的第一晶体管。所述第一时序路径被分析以确定第一时序路径是否具有正时序余量。如果分析的操作速度显示正时序余量,设计被改变(214)为修改后的设计以通过将第一晶体管移至更靠近第一阱边界来降低第一时序路径的泄漏功耗。而且,通过使用所述修改后的设计来建立第一时序路径以通过降低第一晶体管的功耗来降低第一时序路径的泄漏功耗。
公开/授权文献
- CN104281728B 降低半导体器件功耗的系统及方法 公开/授权日:2019-07-30