本发明提供一种VDMOS器件及其终端结构形成方法。本发明方法包括如下步骤：在衬底上形成外延层；在外延层上形成具有场限环注入窗口的场氧化层；注入离子，使离子通过所述场限环注入窗口进入外延层，形成场限环；形成多晶硅层，经光刻刻蚀在终端区形成多晶场板，使所述多晶场板完全覆盖所述场限环注入窗口并且部分覆盖终端区的场氧化层；注入N型离子，使N型离子进入终端区的多晶场板和场氧化层；形成介质层。本发明将N型离子注入器件终端区的多晶场板和场氧化层中，这些N型离子能够吸引终端介质层和氧化层中的可动正电荷，从而抑制了反向偏压下终端区可动正电荷向主结的移动，有利于保证器件最大击穿电压测定时的稳定性。