发明授权
- 专利标题: 一种具有复合钝化层结构的场效应晶体管
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申请号: CN201410457922.5申请日: 2014-09-10
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公开(公告)号: CN104347701B公开(公告)日: 2017-10-17
- 发明人: 杜江锋 , 陈南庭 , 潘沛霖 , 白智元 , 刘东 , 于奇
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 电子科技大学专利中心
- 代理商 李明光
- 主分类号: H01L29/778
- IPC分类号: H01L29/778 ; H01L29/08
摘要:
本发明公开了一种具有复合钝化层的场效应晶体管,从下至上依次主要由衬底,氮化镓缓冲层,氮化镓沟道层,铝镓氮势垒层以及在势垒层上形成有源极、漏极,源极及漏极与势垒层形成欧姆接触,在器件表面覆盖有一层钝化层。在栅极与漏极之间的钝化层由具有较高介电常数的绝缘材料(高‑K介质)和具有较低介电常数的绝缘材料(低‑K介质)在横向上复合而成。由于高‑K和低‑K介质层组成的边界能改变周围的电场分布,从而在器件沟道中引入电场峰值,使得沟道电子气得以充分耗尽,以此提升器件的耐压能力。
公开/授权文献
- CN104347701A 一种具有复合钝化层结构的场效应晶体管 公开/授权日:2015-02-11
IPC分类: